Largement inspiré par le site de Steve WA1QIX mon choix c'est porté sur le schéma de l'émetteur 80m de 400 watts.
Pour des raisons d'approvisionnement , j'ai utilisé d'autres mosfet et varié un peu sur le schéma.
Au départ je souhaitais alimenter le TX avec les batteries que j'ai au QRA et qui sont rechargées par des panneaux solaires (histoire de faire un peu "ecolo").
La tension d'alimentation du coup n'était plus que de 27.5 volts, moins la chute de tension par effet joule, soit entre 26 et 25volts batteries chargées plein pot.
De ce fait les mosfets auraient un tension VDSS plus faible , l'intensité ID restant identique 12A.
Mosfet choisi par WA1QIX FQA11N90 boîtier TO-3P
Mosfet retenu pour le projet STP12NM50 boîtier TO-220 isolant thermique plus facile
à trouver (recup)
La disposition des mosfet de commutation (switching mode) à fonctionner en HF dépend de la capacité d'entrée que l'on trouve sur la grille (gate). On constate que plus le mosfet peut fournir de la puissance (U x I ) plus la capacité d'entrée est importante. Le choix est forcement un compromis cela veut dire qu'il faudra choisir entre fréquence d'utilisation max et puissance max.
De ce fait la plupart des réalisations d'une puissance supérieure à 200watts fonctionnent uniquement sur 160 ou 80m.
Ici le débat fut tranché: ce sera 3600kHz pour ce prototype, histoire de ne pas trop compliquer la chose et risquer de jeter l'éponge avant la fin du match.
Idem pour la puissance max: 300w.
Seule entorse au projet initial, la tension pourra monter jusqu à 50v puisque le STP12NM50 le permet.(au diable les critères écolo! "ca commence à bien faire" sic ).
Le nombre de mosfet au PA sera de 2x2x2 , 4 sur le transfo A et 4 sur le transfo B.et 2 drivers par branche
Ha oui les transfos de sortie ....les ferrites....on en parlera plus loin, pour le moment il faut trouver un radiateur (recup) pour loger tout ce petit monde.
Il devra accueillir 4 drivers (to-220) et 8 mosfets (to-220)
Il sera plutôt massif, une bonne épaisseur d'alu puisque la ventilation sera optionnelle, en effet les mosfet fonctionnant en tout ou rien, 50% du temps OFF 50% ON (à saturation) la résistance dans ce cas est de quelques centièmes d'ohms (RDS 0.35) donc rendement très élévé (90%) peu de pertes, peu d'échauffement.
Les mise en parallèle des drains et sources sont réalisés par du clinquant de cuivre ou de laiton, les grilles (gate) et les drivers serons câblés sur un CI simple face gravé à la main.
Voilà ce que cela donne.
Fin de première partie.